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光迅科技:提升自给能力 向中高端进军

2013-12-12 09:32
木中君
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  OFweek光通讯网消息,日前光迅科技拟向特定对象非公开发行不超过2037万股,募集资金6.3亿元,投入到“宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目”,拟使用募集资金额6.1亿元。

  分析师对此进行的评析:

  LTE带动有源业绩高速增长。2013年,三大运营商启动LTE网络建设,带动6G-10G光模块需求快速增长公司有源业务(WTD)半年报和三季报净利润增速均在60%以上。据估算,2013年国内LTE光模块市场容量为5.4亿元,用量超过180万套,根据调研,2014年三大运营商整体LTE基站建设数量将增长约50%,即使考虑到价格下降,国内LTE光模块市场需求增速也将超过20%。

  40G/100G已势不可挡,公司高速率产品突破在即:Ovum数据显示,40G+100G市场在2013年-2018年的年均复合增长率将高达27.5%,2013年-2015年全球市场规模分别为20.5亿美元、24.9亿美元、32.8亿美元。中国移动和中国电信均在2013年启动了100G现网集采,美国运营商的部署力度也较大,40G/100Gbps已成为解决带宽需求、拓展传输容量的主要技术手段。公司拟通过本次募集资金投资项目将产品线从主要集中于2.5G以下的普通FP-LD、DFB-LD、PIN、APD等类型上,逐渐扩大升级至10G、40G及以上速率的中高端产品,以升级产品结构,顺应不断升级的市场需求。目前,公司100G的相关重点产品通过设备商样品测试及电信运营商集采测试,并形成小批量产出能力,分析师对公司的技术能力以及未来在中高端产品的突破具有信心。

  芯片是核心,内生+外延逐渐提高自给能力:光电子器件的芯片成本占比通常在30-50%,高端光器件中芯片成本甚至在50%以上,芯片的自给能力体现了公司的综合实力和盈利能力。公司研制开发的光电子核心芯片已经大量应用于光纤到户接入网等领域,并且在中高端、高速光电子芯片技术上已完成技术积累。同时,公司2013年通过收购IPX获得了基于PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)的芯片设计制造核心技术,加强了无源集成能力。我们预计,2013年底,公司10G以下芯片能够全部供给,10G芯片自给能力继续提高,公司芯片实力不断增强,不仅符合市场需求,而且将对公司盈利能力的改善起到较大作用。

  坚定看好未来成长空间,分析师暂不对公司盈利预测进行调整,预计公司2013-2015年EPS分别为0.95元、1.20元、1.59元,对应PE分别为37.2倍、29.4倍、22.2倍,维持“增持”评级。从短期来看,看好有源器件业务注入对公司业绩的提升,尤其是受益于运营商建设LTE网络,6G-10G产品将快速增长;从长远来看,公司是最有希望成为国内光器件行业在全球份额提高中的代表企业,看好公司作为国内光器件厂商领军地位的增长空间,进入全球前三指日可待。从发展速度来看,公司如果想加速提升规模、综合竞争力,继续实施收购的策略无疑是最直接和最快速的,期待其后续的资本运作。从内生的角度来看,公司布局数据通信产品以及高端产品突破已经逐渐看出端倪,这也是公司未来做大做强的保证,但高端产品从小批量产出到大批量供货仍需要一定时间。

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