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光迅周亮:光器件发展趋势/PON技术有发展

2014-08-01 09:06
潇纵
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  接入网--无源光网络(PON)技术的发展

  关于接入网-无源光网络(PON)技术的发展,周博士也作了详细介绍。10G EPON在2013年已规模商用,40G堆叠TWDM-PON成为NG-PON2主流, FSAN标准进展顺利,2015年商用网络升级平滑,兼容10G PON、GPON、EPON,用户数和用户带宽兼顾,具有经济性和实用性。

  关于40G光接入网(TWDM-PON)的多波长OLT由4通道/8通道的激光器与光合波器、探测器与光分波器间的集成,可调波长的ONU由波长可调元件与激光器/探测器的混合集成。关于40G接入网中的集成器件--波长可调谐激光器,JDSU / Oclaro的InP基单片集成可调谐激光器见下图,NTT的InP基单片集成可调谐激光器阵列见下图。

  JDSU / Oclaro的InP基单片集成可调谐激光器

  NTT的InP基单片集成可调谐激光器阵列

  周博士还介绍了100G数据中心光器件的需求背景,认为下一代数据中心传输距离的预期为150m~2km,因此下一代数据中心将围绕单模光纤/边发射激光器,现有的40G QSFP+数据中心用光模块基于VCSEL和阵列多模光纤的数据中心光模块方案,采用高精度无源贴装技术,采用Chip-on-board工艺实现低成本,而100G数据中心用集成光器件—硅光集成采用硅基单片和混合集成技术的100G 光收发芯片在传输距离、功耗、成本、体积、工艺上优势明显。

  总之,光器件全球化的竞争格局已经形成,随着国内光电子器件厂商研发能力、生产工艺的提高,再加上产品的成本优势,国外通信系统设备厂商也增强了对国内光电子器件产品的采购力度。而集成技术是国内厂商抓住机遇的重要手段!

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