II-VI签署史上金额最大订单!超1亿美元为5G基站射频功率放大器提供碳化硅衬底
当地时间12月5日,II-VI公司宣布签署了一项总金额超过1亿美元的多年协议,为部署在5G无线基站的氮化镓(GaN)射频功率放大器提供碳化硅(SiC)衬底。这是II-VI公司自成立以来签署的金额最大的一笔订单。
村田亮相CIOE 2019,硅电容新品续写精专技艺
村田此次参展的主题是“电容家族新势力:续写精专技艺”,村田带来了硅电容器以及数据中心线缆管理用RFID标签等新产品,助推光电产业发展。
IPG收购Padtec SND:以泵浦和光放大技术推进海底网络市场
1月22日,IPG Photonics公司宣布签署最终协议,将收购总部位于巴西的通信设备公司Padtec SA的海底网络部门(SND)。该交易已得到各公司董事会的批准,在符合交易惯例的前提下,预计交易将于2019年第一季度完成。
射频前端市场潜力巨大 GaN优势明显
目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备,如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si,射频(RF)开关主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料,从目前的材料工艺角度来看,主要针对5G的Sub-6GHz范围。
国产5G通信基站芯片通过认证 打破国外垄断
10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上,国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片,在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。
5G高频让氮化镓放光彩 硅基氮化镓将进入量产
5G高频率特性让氮化镓(GaN)半导体制程成为功率放大器(PA)市场主流技术,同时,GaN功率元件也开始被大量应用在车联网及电动车领域。
复旦大学两成果亮相2018国际固态电路会议
在一般的无线通信中有两个频带存在。以往会有两个发射机来实现两个频带的发射,而该技术实现了两个频带由一个发射机发射,节省成本的同时使芯片缩小了一半。
中国移动公布2017–2019年无源器件和干放集采结果 十家中标
日前,中国移动启动2017年至2019年无源器件和干线放大器集采,此次中标企业总计十家。本次集采中没有设置最高投标限价。
中国移动2017-2018年数据链路采集设备集采:光迅获70%份额
近日,中国移动公布2017年至2018年数据链路采集设备集中采购结果,武汉光迅科技股份有限公司获得70%份额……
罗德与施瓦茨推出世界首款传输特性可调的宽带功率放大器
R&S BBA130是罗德与施瓦茨推出的世界首款允许用户在80MHz至6GHz的范围内,根据特定应用的要求可优化传输特性的宽带功率放大器。
诺基亚携三菱电机等开发全球首个超快GaN包络追踪功率放大器
据外媒报道,三菱电机公司、诺基亚贝尔实验室和加州圣地亚哥无线通信中心日前宣布,他们共同开发了世界上第一个超高速氮化镓(GaN)包络追踪功率放大器,能支持高达80MHz的调制带宽,预计还能降低下一代无线基站的能耗。
XKL发布DarkStar DMD-A光设备改善网络灵活性
针对企业网络的光传输平台开发商XKL日前推出DarkStar Mux/Demux-放大器(DMD-A)光设备,帮助用户提升光纤网络的灵活性和可管理性。
河南仕佳光子科技股份有限公司与您相约OFweek 2017(第二届)中国光通讯在线展会
河南仕佳光子科技股份有限公司荣幸受邀参展本次展会,将携4x25Gb/s LAN-WDM ROSA、4通道 AWG (MUX & DEMUX for TOSA/ ROSA)等产品盛装亮相……
新飞通双模8x16多播开关MCS模块开始送样
NeoPhotonics近日宣布其用于高性能CDC(方向无关,波长无关,竞争无关)网络的内置集成放大器阵列的双模8x16多播开关MCS模块开始送样。
Teleste推出两款DOCSIS 3.1光纤放大器
根据相关消息显示,Teleste已经宣布推出两款1.2 GHz DOCSIS 3.1光纤放大器。
MaxLinear推出MxL9103 28-Gbaud线性互阻抗放大器
RF和混合信号通讯半导体专家MaxLinear日前宣布推出单通道28Gbps线性互阻抗放大器(TIA)MxL9103。该设备适用于数据中心收发器的低功率PAM-4以及离散多频调制(DMT)光收发器。
II-VI 开发出针对NG-PON2上行传输的光放大器产品
光器件和子系统开发商II-VI今天宣布开发出针对NG-PON2上行传输的突发模式增益控制光放大器产品。
光放大器现状及发展方向分析
光通信系统中的光信号,经过一定距离或者一些功能器件后,引起的损耗必须进行功率补偿,才能在接收端正确接收。完成这些功率补偿的器件,就是光放大器。
亚微米通信光放大器成为现实
近日,中美华人科学家团队对新型可集成光放大器的合作研究取得重大进展,在国际上首次实现了亚微米尺度的近红外通信光放大器,将已有器件的最大增益提高了20倍,器件尺寸却缩小了一个数量级。这使得科学家朝着最终研制出光子芯片的目标又近了一步。
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