GaN
氮化镓（GaN）是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。
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GaN Micro LED助LiFi破传输速率记录
日前，法国原子能委员会表示，他们已经打破了使用单个GaN蓝色Micro LED的可视光通信（VLC，也被称为Li－Fi）吞吐量为5．1 Gbps的世界纪录。由10微米microLED实现的7．7 Gbps数据传输速率标志着Li－Fi通信的商业化和广泛应用又向前迈出了一步
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国内GaN射频元件厂商生存现状分析，5G时代是否能实现弯道超车？
更大的带宽、更高的数据传输速度意味着更大的功率、更高频率的需求，而传统的硅半导体已经无法满足这些需求，在20世纪90年代诞生的氮化镓技术则以其在高频下更高的功率输出和更小的占位面积，被射频行业大量应用。
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5G稳步起飞，GaN的成长好时机到了
在今年的CES上国内多家手机厂商发布了5G手机，从而将5G技术再次推向高潮，全球对5G的呼声越来越高，中国、英国、韩国、美国都已经开始部署5G基站，并展开测试。
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诺基亚携三菱电机等开发全球首个超快GaN包络追踪功率放大器
据外媒报道，三菱电机公司、诺基亚贝尔实验室和加州圣地亚哥无线通信中心日前宣布，他们共同开发了世界上第一个超高速氮化镓（GaN）包络追踪功率放大器，能支持高达80MHz的调制带宽，预计还能降低下一代无线基站的能耗。
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