光刻机可谓国产芯片之痛，至今ASML都未获得对中国出售EUV光刻机的许可，这对中国芯片的发展造成了较大的影响，而近日中国芯片传出利好消息，那就是依靠核心架构研发和自主研发的指令集，以成熟工艺生产出先进性能的芯片。

龙芯表示新推出的芯片3B6600采用了国产成熟工艺制造，业界预估可能是国产的12纳米工艺，而性能方面却能达到Intel的12/13代高端酷睿的性能，较上一代3A6000性能大幅提升--上一代的3A6000性能大约达到10代酷睿中低端芯片的性能。13代酷睿采用了Intel 7工艺生产，相当于台积电的7纳米工艺。这意味着国产芯片通过掌握芯片指令集，提升指令集的执行效率，在设计方面进行优化，可以利用现有的国产成熟工艺开发出性能先进的芯片。这也是国产芯片一直梦寐以求的突破，毕竟目前国产芯片在寻求台积电代工方面仍然有困难，国产芯片能获得的先进工艺也不过7纳米，甚至有国产AI芯片企业为了符合台积电7纳米的代工要求而降低AI芯片的性能，如今通过核心架构设计提升性能，成为国产芯片努力的方向。

龙芯的成功无疑为国产芯片的发展打开了一扇窗，通过核心架构研发真的可以实现更强的性能，绕开先进光刻机的限制，这对中国芯片来说意义重大，国产芯片未来可能将会进一步往这个方向发展。

其实依靠核心架构研发，提升芯片性能早有美国芯片企业做到了，美国的苹果公司就是如此做的，苹果公司的A系处理器一直都是获取ARM的指令集授权，而其他安卓芯片企业则是获取ARM的公版核心授权，两者走的路子完全不一样。

苹果的A系处理器通过核心架构研发，在性能方面一直领先安卓芯片；数年前苹果研发用于iPad和Mac的M系芯片，更是首次将ARM架构的性能提升到媲美Intel的水平，这也是ARM架构的性能最高水平，既证明了ARM的精简指令集能提供更强的性能，同时也证明了自主研发确实能实现更强的性能。

如今国产芯片也做到了，龙芯的指令集loongarch为完全自主研发的指令集，由于指令集完全自主研发，龙芯可以更深层地理解指令集的运作，因此可以在核心架构研发方面提升芯片的性能，从而取得了更强的性能。

龙芯早年也是将芯片交给台积电代工，但是数年前，龙芯也无法获得台积电的先进工艺产能了，因此龙芯一直将芯片交给国内的芯片代工企业，而国内芯片代工企业目前可以大规模量产的最先进工艺就是12纳米，还有说法是7纳米也可以量产，不过这个一直没有正式的消息确认，如此龙芯采用国产的12纳米就是较为合适的工艺。

对于国内的PC、服务器等行业来说，龙芯达到12代/13代高端酷睿的性能，已能满足高端市场的需求，毕竟如今中国的诸多PC还在用10代及以前的酷睿芯片呢，对于服务器来说，能研发如此高性能的芯片，还可以通过集成更多龙芯核心进一步提升服务器芯片的性能，与Intel达到同一水平更是没太大问题，如此国产芯片受制于ASML的先进光刻机将彻底得到解决。

       原文标题 : 国产芯片找到提升芯片性能的办法，无需依赖ASML的先进光刻机了