3nm芯片互连，业界性能最强！
近日，半导体芯片领域的知名企业Eliyan宣布了一个重大突破：其采用3nm工艺打造的首块硅芯片NuLink™-2.0 PHY已成功交付。
这款器件能够实现64Gbps/bump的传输速度，刷新了业界针对多芯片架构（涵盖新兴的HBM4存储解决方案）的模对模PHY性能纪录。
NuLink™-2.0 PHY不仅与UCIe标准高度兼容，还进一步证明了Eliyan在提升芯片间连接带宽方面的卓越能力。与去年的测试芯片相比，其性能已从40Gbit/s/bump跃升至当前的64Gbps/bump，实现了翻倍的增长，同时保持了前所未有的低功耗、小面积和低延迟。
关键亮点
创纪录的Chiplet互连性能：Eliyan的NuLink（TM）-2.0PHY采用3nm工艺制造，每次碰撞可提供64Gbps，是模对模PHY解决方案的最高性能，带宽翻倍。
增强的效率和灵活性：NuLink-2.0 PHY支持标准和先进的封装，并使用UMI技术将内存带宽提高了2倍以上，可用于AI、HPC和游戏，降低了功率和面积要求。
具有成本效益的可扩展性和可持续性：该解决方案能够在更低的功耗和成本下实现高性能多模架构，适用于航空航天、汽车和工业应用等多个市场。
Eliyan公司正在引领芯片革命，专注于扩展半导体性能、尺寸、功耗和成本的基本挑战，以满足高性能计算应用的需求。它开发了一项突破性的技术，可以使用标准或先进的封装，为同质和异质多模架构实现业界最高性能的芯片互连，通过降低成本、制造浪费和功耗来提高可持续性。
值得一提的是，NuLink™-2.0 PHY还支持UMI技术，这是一种能够将芯片到内存的带宽效率提升两倍以上的专有芯片互连技术。其动态双向PHY规范目前正在开放计算项目（OCP）中接受最终确定，预计将作为BoW 2.1的一部分发布。
在演示产品中，NuLink™-2.0 PHY使用了标准的有机/层压板包装，支持5-2-5和8-2-8堆叠。其高面积效率的PHY设计不仅适用于标准封装中的90um碰撞间距，也完美适配先进封装中的45-55um碰撞间距。
通过使用反射和串扰消除技术，NuLink™-2.0 PHY在标准封装中可提供高达5Tbps/mm的带宽，而在采用无端接接收器和简化消除电路的降低功率的高级封装中，则可实现高达21Tbps/mm的带宽。
该器件还整合了模对模物理层（PHY）和适配器/链路层控制器IP，为用户提供了一个完整的解决方案。这一设计使得NuLink?-2.0 PHY能够轻松应对HPC和边缘应用中的高增长人工智能市场需求。同时，标准封装的低成本也进一步鼓励了基于芯片的设计在推理、游戏以及其他邻近市场的广泛应用。
Eliyan的创始首席执行官Ramin Farjadrad对此表示：“这一里程碑不仅为广泛的多模用例设定了新的性能与总拥有成本（TCO）优势标准，还极大地扩展了建筑师在消除或减少内存和IO墙方面的自由度。”
他补充称：“结合我们前所未有的低功耗和封装技术灵活性，我们能够针对特定市场对成本和复杂性进行优化，提供一种创新的解决方案，帮助将基于芯片的设计扩展到各个行业的新高度。”
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