北京航天时代光电：申请薄膜铌酸锂调制器芯片专利

2024-12-09 16:20

国家知识产权局信息显示，北京航天时代光电科技有限公司申请一项名为“一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片”的专利，公开号 CN 119045219 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，该发明涉及一种紧凑型薄膜铌酸锂调制器芯片，属于光通信器件领域。

该发明的优势之处在于，提供了一种紧凑的调制器波导光路，增加波导臂的长度的同时减小了芯片的尺寸，由此增加了调制电极的长度，提高了调制效率，降低了半波电压。

电光调制器作为高速光模块的核心组件，其调制速率直接决定了光模块的数据传输能力。迄今为止，众多研究人员已对多种结构类型、制备方法及工作波长的薄膜铌酸锂调制器进行了深入且系统的探索。

薄膜铌酸锂技术作为一项革命性突破，在大规模、高密度光子集成领域展现出了显著优势。与传统铌酸锂相比，薄膜铌酸锂器件能轻松实现超过100GHz的3dB带宽，这对推动高速光通信、光互联以及片上光计算等领域的发展具有深远影响。

对于1.6T这样的高算力光模块而言，薄膜铌酸锂光调制器是不可或缺的组件。它能够满足高算力标准，同时兼具低损耗、小体积和高带宽的特性。然而，薄膜铌酸锂调制器的研发与制造过程极为复杂，当前仍面临大尺寸制备挑战以及材料脆性等难题，亟待解决。

基于薄膜铌酸锂的光调制器凭借其高性能、低成本、小型化、可批量化生产以及与CMOS工艺的高度兼容性等优势，备受业界青睐。当前，包括日本富士通、日本住友、光库科技、铌奥光电以及元芯光电在内的多家企业，均在该细分领域深耕细作，积极布局。

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