11月25－27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。

11月27日上午，“微波射频与5G移动通信” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。

氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在5G通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。分会关注氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及HEMT器件在移动通信中的应用等各方面，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。

台湾长庚大学教授邱显钦、德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR？CKNER、中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利、西安电子科技大学教授刘志宏、北京国联万众科技有限公司副总经理张志国、南京电子器件研究所高级工程师张凯、中国电子科技集团第41研究所张光山、河北半导体研究所王毅等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本次分会。

近年来，全球信息通信产业呈现移动化、宽带化和智能化的发展趋势。第五代移动通信系统（5G）不仅立足于移动通信本身，而且将渗透到未来社会的各个垂直领域，构建以用户为中心的全方位信息生态系统。

会上，中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利分享了5G毫米波应用，分层次介绍5G毫米波的业界进展、5G毫米波的特性与应用场景及5G毫米波应用涉及的关键技术等。

刘建利 1998年9月加入中兴通讯，先后负责射频无线收发信机、PHS基站射频、WCDMA智能天线、基站射频功放平台等研发工作，历任射频研发工程师、系统工程师、项目经理、西安研究所射频开发室主任、中兴通讯射频功放平台总工等职，目前作为无线技术总工及公司技术委员会专家主要负责无线技术的研究及对外合作工作。发表论文4篇，申请专利10余项，其中美国专利2项。
    报告中，他表示，5G将与传统制造、服务行业的融合创新促成“互联网＋”新形态，改变人们的生产、工作、生活方式，为当今中国经济和社会的发展带来的无限生机。

相较于4G移动通信系统，5G需要满足更加多样化的场景和极致性能挑战。5G系统将满足增强的移动宽带（eMBB）、海量的机器间通信（mMTC）、低时延高可靠通信（uRLLC）三大类主要应用场景，并支持10Gbit／s以上的系统峰值速率，100万／平方公里的连接数密度，1 ms的空口时延，相比4G提升3～5倍的频谱效率和百倍的能效，500公里／小时的移动性支持，10 Mbit／（s＆times；平方米）的流量密度等关键能力指标。

多种场景下的应用，需要对支持部署5G系统新空口标准的候选频段进行全频段布局，以综合满足网络对容量、覆盖、性能等方面的要求。低频段已异常拥挤，且大多涉及与其他系统干扰保护，共存条件苛刻，而中低频段传播特性中的较强穿透力和广域覆盖能力是5G实现大覆盖、高移动性场景下的用户体验和海量设备连接的必然选择；6GHz以上毫米波频段虽然覆盖能力相对中低频段较弱，难以实现全网覆盖，但丰富的频谱资源能够满足5G在热点区域极高的用户体验速率和系统容量需求。

（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）

来源：中国半导体照明网