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NOEIC发布超高速硅光芯片技术的重大进展
2020-12-14 16:01
来源：
OFweek光通讯网
在日前召开的ECOC 2020上，NOEIC和中信科联合发布其在超高速硅光芯片技术方向取得的重大进展，首次利用硅光微环调制器产生了200 Gb／s PAM4光信号，并成功实现2km单模光纤传输，该成果为下一代800G光模块和共封装光子引擎提供了超低功耗超高集成度的芯片技术方案。
ECOC（欧洲光纤通讯展览会）的PDP文章（post－deadline paper，在截稿日期之后被接收的论文）旨在发布光通信领域的最新技术进展和纪录性成果，代表着业内当前最高技术水平。本届会议仅有7篇，而国家信息光电子创新中心（NOEIC）的论文是唯一关于光芯片类的PDP文章，也是唯一一个完全依托中国单位和研究人员完成的工作。
随着5G、物联网和人工智能等的快速发展，下一代数据中心光互连亟需将单通道速率从当前的100Gb／s升级到200Gb／s。而本工作中的超高速硅基微环调制器由于具有高带宽、小尺寸、低驱动电压和低功耗等众多优点，为下一代低成本、低功耗的高速光互连提供了非常有竞争力的解决方案。
此次NOEIC和中国信科的研发人员基于带宽大于67GHz（受限于测试设备，外推带宽为79GHz）的硅基微环调制器，结合自主开发的奈奎斯特整形和自适应均衡算法，成功演示了单通道120Gb／s OOK和200Gb／s PAM4高速光信号的产生，实现了目前国际上速率最高的硅光调制器。
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