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存储大厂们的“预增公告”,春天在哪里

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2024年全球半导体存储行业回暖,根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)预测显示,2024年半导体市场强劲增长19%,其中,存储市场预计将在2024年增长81%。

DeepSeek的出现也引发的市场变化推动人工智能和半导体行业实现增长。AI市场从高价GPU和内存向定制化AI芯片和廉价内存的多元化发展,标志着AI市场的扩张。这一转变有望使AI技术更加普及、更具成本效益,扩大其应用范围和吸引力。DeepSeek 冲击导致的股价波动被视为三星电子和 SK 海力士等的买入机会。例如SK 海力士预计将从今年第二季度开始全面出货 HBM3E 12 层,从而实现差异化表现。高带宽内存技术的这一进步对于高性能计算和 AI 应用至关重要。与此同时,三星电子已准备好高效供应定制的 AI 芯片和内存,并已确保了满足客户需求所需的制造设施。同时,由于 DeepSeek 提供的优化技术,AI 模型开发成本将会降低。预计成本降低将形成良性循环,从而降低生成 AI API 价格、增加 AI 流量并促进 AI 基础设施投资。朴尚铉进一步预测,美国可能会加速其基础设施投资以应对这些发展。也有业内人士提出,受AI应用激增的推动,存储器市场的资本支出(capex)也发生显著变化。越来越多的资金流向DRAM领域,特别是HBM的生产。预计2025年,DRAM资本支出将同比增长近20%。然而,这一转变也导致对NAND生产的投资减少,可能在市场上造成潜在的供应瓶颈。尽管如此,NAND领域的盈利能力持续改善,有望在2026年重新点燃该领域的投资热情。

01多家存储大厂发布预增公告

兆易创新2024年净利润预增576.43%:2024年,兆易创新预计实现归属于上市公司股东的净利润达10.9亿元左右,同比增长576.43%;扣除非经常性损益后的净利润约10.3亿元,同比大增3659.04%;营业收入约73.49亿元,同比增长27.57%。

公告中提到,业绩增长的主要原因包括2024年行业下游市场需求回暖,客户增加备货,产品在多个领域实现收入和销量大幅增长。此外,公司持续加大研发投入和产品迭代,优化产品成本,增强产品竞争力。同时,2023年公司商誉和存货资产减值损失合计约6.1亿元,预计2024年相关资产减值损失将大幅下降。在利基型DRAM领域预计价格下行空间有限,预计供给格局改善可能出现在2025年Q2或下半年。Flash业务方面,公司NOR Flash产品全球份额第二,将继续提升市占率,特别是在端侧AI和工业、汽车市场。利基型DRAM的DDR4 8Gb产品已量产,LPDDR4预计2025年下半年贡献收入。MCU业务方面,公司预计工业领域将进一步增长,车规MCU新产品GD32A7客户反馈良好。

澜起科技披露2024年度业绩预告,预计实现营业收入约36.39亿元,较上年同期增长约59.20%;归属于母公司所有者的净利润13.78亿-14.38亿元,较上年同期增长205.62%-218.93%;归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润12.24亿-12.84亿元,较上年同期增长230.82%-247.04%。

尤其是,2024年第四季度,公司预计营业收入实现同比及环比增长,主要原因是DDR5内存接口芯片需求旺盛,出货量增加。公司预计2024年第四季实现营业收入约10.68亿元,其中互连类芯片产品线销售收入约9.72亿元,DDR5第三子代RCD芯片开始规模出货;归属于母公司所有者的净利润4.00亿-4.60亿元;归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润3.50亿-4.10亿元。

对于业绩增长,澜起科技披露,一方面,受益于全球服务器及计算机行业需求逐步回暖,公司内存接口及模组配套芯片需求实现恢复性增长。同时,受益于DDR5下游渗透率提升且子代持续迭代,公司DDR5内存接口芯片出货量超过DDR4内存接口芯片,DDR5第二子代内存接口芯片出货量超过第一子代产品;另一方面,受益于AI产业推动,公司三款高性能运力芯片新产品(PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD芯片)开始规模出货,为公司贡献新的业绩增长点。

02存储的春天在哪里?

HBM快速迭代

随着英伟达和AMD等主力GPU产品的迭代,以及搭载HBM规格变化,市场已逐步由HBM3向HBM3e升级。与此同时,更新一代HBM技术也愈发受到关注。

根据市场调查机构Gartner的数据,全球半导体收入预计将在2025年增长12.6%,达到7050亿美元。

目前,全球HBM市场由SK海力士、三星、美光三家主导。分厂商来看,三星电子是2024年排名第一的半导体供应商,年销售额增长62.5%,超过排名第二的英特尔。由于对AI加速芯片的需求,英伟达的芯片销售额几乎翻了一番,跃居第三位。

存储制造商SK海力士和美光的销售额也出现强劲增长。就美光而言,三星和SK海力士的销售额增长主要得益于存储的高平均售价,尤其是数据中心AI加速所需的高带宽存储器(HBM)。Gartner表示,2024年数据中心应用芯片的销售额几乎翻了一番,达到1120亿美元。

2024年非存储收入将增长6.9%,而存储收入将增长71.8%。因此,到2024年,存储在半导体总销售额中的份额将增至整个市场的25.2%,非存储占74.8%。分析师George Brocklehurst指出:“存储和AI半导体将推动近期增长,HBM预计将占据DRAM收入的越来越大份额,到2025年将达到19.2%。HBM收入预计在2025年将增长66.3%,达到198亿美元。”

GLC SSD大风吹

AI热潮产生了大量的数据存储和计算需求,使HBM和企业级SSD均受益。相比SLC、MLC、TLC技术,QLC 闪存有几个主要优势:

容量:QLC相比主流TLC闪存,存储密度提升33%。

成本:从晶圆上切割出的闪存芯片数量相同,QLC 可提供比 TLC 多约 33% 的存储容量,从而降低单位存储成本。

总拥有成本 (TCO):与传统 HDD 相比,基于 QLC 的 SSD 具有更低的 TCO。TCO 包括存储密度、可靠性和功耗等考虑因素。虽然 QLC 的写入性能略逊于其他技术,但其读取性能却非常强劲。

许多人认为 QLC SSD 是 TLC SSD 的补充,特别适合读取密集型和混合读/写工作负载,例如人工智能、内容交付网络和机器学习中的工作负载。

在AI应用方面,TrendForce指出,SSD应用于AI推理服务器,有助于在推理过程中调整和优化AI模型,尤其是通过实时更新数据来微调模型输出。AI推理主要支持检索增强生成(RAG)和大型语言模型(LLM),SSD可以存储参考文档和知识库,以便RAG和LLM生成更丰富的响应。

随着越来越多的生成信息以视频或图像的形式显示出来,数据存储需求也随之增加,使得大容量 SSD(例如 16TB+ TLC/QLC 型号)对于 AI 推理至关重要。

Solidigm 已开发并交付了 D5-P5336 61.44TB QLC SSD 等产品,其耐用性远超传统 HDD。

SK海力士2024年12月18日宣布,开发出了专为AI数据中心设计的大容量SSDPS1012。计划到 2025 年第三季度将其产品线扩大到 122TB。PS1012 采用最新的第五代 PCIe,带宽是第四代产品的两倍。这使得数据传输速度高达 32GT/s,连续读取性能达到 13GB/s,是上一代产品的两倍。

三星已开始量产 1Tb QLC 第九代 V-NAND 内存,提供全系列先进 SSD 解决方案,满足 AI 时代的需求。三星还计划通过第九代 QLC 和 TLC V-NAND 技术巩固其在企业级 SSD 市场的领导地位。

铠侠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC已进入出样阶段,全新QLC产品架构允许在单个内存封装内堆叠16颗芯片,提供领先的4TB容量。

在国内,大普存储是国内首家推出QLC企业级SSD的公司,先是J5000系列(15.36TB容量),后来又推出了J5060 QLC SSD系列,最高容量可达61.44TB。

没有开春的它们

近一年来,通用 NAND 价格从上涨到持平再到下跌,经历大起大落。TrendForce 数据显示,通用 NAND 价格从 2023 年 10 月开始经历 5 个月的上涨后,于 2024 年 3 月增速减缓,维持平稳状态;而后从 9 月开始转为下跌,9 月、10 月和 11 月的环比降幅分别为 11.44%、29.18% 和 29.8%。目前,通用 NAND 价格已从 8 月的 4.9 元降至11月的 2.16 元,跌幅超过 50%,是继 2015 年 8 月以来的最低价格。

TrendForce预测,2024 年第四季 NAND 合约价格将下降 3-8%,获利能力进一步减弱,此前便有业内人士分析 2025 年或许会有部分产品线从 NAND 转向 DRAM。

至于NAND价格持续下跌的原因,要知道产品价格波动,主要受市场供需影响。所以,要弄清楚 NAND 芯片价格为何持续下滑,需先了解其具体应用场景。

难兄难弟还有DRAM。春节假期后,消费者对 DRAM 的需求依然低迷,现货价格持续低位徘徊。不过,由于部分买家的特殊需求,DDR5 产品出现了临时价格上涨。相比之下,DDR4 产品的现货价格因 CXMT 供应充足而继续下滑,本周主流芯片(如 DDR4 1Gx8 3200MT/s)的平均现货价格维持在 1.458 美元。

不只是在春节期间,自去年8月起,DRAM价格进入下跌趋势,直至今年1月才出现回暖迹象。继去年9月和11月分别暴跌17%和20%之后,DRAM价格一直处于区间波动状态,预计今年第一季度的表现将更加糟糕。因此,预测显示三星电子第一季度的表现将比预期的更差。

即使进入1月,受农历新年以及客户去库存的影响,贸易市场依然低迷。DRAM供应商的库存水平再次上升,达到去年第四季度13至18周的水平。

分析表明,DRAM需求预计短期内不会恢复。

       原文标题 : 存储大厂们的“预增公告”,春天在哪里

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