光迅科技海外营收突破1亿美元 核心芯片技术获突破
近日,光迅科技发布了2014年年报,年报显示2014年实现营收24.33亿元,同比增长14.08%;净利润1.44亿元,同比下降11.86%,净利润下降主要是2014年获得的政府补助收入大幅减少。研发费用为2.42亿元,占销售额的10%;总资产35.86亿元,同比增长35.62%。
分业务来看,传输类销售收入10.40亿元,同比增长16.94%;数据和接入类销售收入7.19亿元,同比增长7.21%;子系统等其他产品收入9.39亿元,同比增长49.36%。
分地区看,光迅科技海外业务营收6.51亿元(约合1.05亿美元),同比增长20.07%,是中国第一家海外销售突破1亿美元的光器件厂商。凭借在海外市场的强势表现,光迅科技稳居全球光器件厂商前六名的位置。
年报还显示,光迅科技2014年销售各类器件模块共7016万只,同比增长21.26%。
知识产权方面,光迅科技2014年共申请专利128项,授权专利72项,专利申请年增长率保持在20%以上。专利结构进一步调整优化,发明专利占到60%,国外专利达到8%。全年牵头及参与制定国家标准、行业标准和研究课题等共计27项,全年科技创新收入和科技成果转化收入占营业收入比达28%。
光迅科技研发资金主要投在了100G/400G、混合集成封装、硅光集成、光互连技术、光交叉技术、传感等领域,并在2014年实现了核心芯片、高密并行封装、相干调制技术等关键技术的突破。在具体应用上,通过结构工艺调整,激光器芯片成品率得到较大提高;100G光通信系统用系列光器件紧跟客户需求,已形成产品族;依托MEMS平台基础,智能MEMSOSW得到批量释放。其重点建设的有源COB工艺平台,也具备了批量生产能力。

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